ROHM RD3P200SN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 20 A 20 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
264-3818
Herst. Teile-Nr.:
RD3P200SNTL1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

RD3P200SN

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

46mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

20W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

55nC

Durchlassspannung Vf

1.5V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand von ROHM eignet sich zum Schalten, ist einfach zu steuern und kann Pb-frei beschichtet werden und ist RoHS-konform.

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Parallele Nutzung ist einfach

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