onsemi NVMFD5C462NL NVMFD5C462NLWFT1G N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 84 A 50 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 172-3316
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFD5C462NLWFT1G
- Marke:
- onsemi
Voraussichtlich ab 21.01.2025 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 1500)
1,218 €
(ohne MwSt.)
1,449 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1500 + | 1,218 € | 1.827,00 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 172-3316
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFD5C462NLWFT1G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 5-x-6-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Prüfung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.
Kleine Abmessungen (5 x 6 mm)Kompaktes DesignNiedriger RDS(on)Minimiert LeitungsverlusteNiedrige QG und KapazitätMinimiert TreiberverlusteNVMFD5C446NLWF – Option mit benetzbaren FlankenVerbesserte optische PrüfungPPAP-fähigAnwendungsbereichSpulentreiberTreiber für Niederspannungsseite/HochspannungsseiteAutomobil-MotorsteuergeräteAntiblockiersysteme
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 84 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
| Gehäusegröße | DFN |
| Serie | NVMFD5C462NL |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 7,7 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.2V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V |
| Verlustleistung max. | 50 W |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Breite | 5.1mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Länge | 6.1mm |
| Höhe | 1.05mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Automobilstandard | AEC-Q101 |
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