onsemi NVD5C464N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 59 A 40 W, 4-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
172-3318
Herst. Teile-Nr.:
NVD5C464NT4G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

59A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

NVD5C464N

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

40W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Höhe

2.25mm

Breite

6.22 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

SuperFET® III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction(SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Somit ist SuperFET III MOSFET sehr gut in verschiedenen Stromsystemen zur Miniaturisierung und für höhere Effizienz geeignet.

700 V bei TJ = 150 °C

Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur

Ultraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 259 nC)

Geringere Schaltverluste

Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 1972 pF)

Geringere Schaltverluste

Ausgezeichnetes Gehäuse und Leistung der Diode (niedriger Qrr, Diode mit robustem Gehäuse)

Höhere Systemzuverlässigkeit in LLC und Phasenverschiebung in Brückenschaltung

Optimierte Kapazität

Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation

Typ. RDS(on) = 23 mΩ

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