onsemi NVMYS1D3N04C Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 252 A 134 W, 4-Pin LFPAK

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RS Best.-Nr.:
185-8162
Herst. Teile-Nr.:
NVMYS1D3N04CTWG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

252A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

NVMYS1D3N04C

Gehäusegröße

LFPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.15mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

75nC

Maximale Verlustleistung Pd

134W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.2mm

Breite

4.25 mm

Länge

5mm

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS: nicht konform / nicht kompatibel

Ursprungsland:
PH
MOSFET für die Automobilindustrie in einem 5x6mm LFPAK-Gehäuse, das für kompakte und effiziente Designs und hohe thermische Leistung konzipiert wurde. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für Automobilanwendungen, die eine höhere Zuverlässigkeit auf Platinenebene erfordern.

Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust

Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

LFPAK4-Paket, Industriestandard

PPAP-fähig

Diese Geräte sind bleifrei

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