onsemi NVMYS3D3N06CL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 133 A 100 W, 4-Pin LFPAK

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RS Best.-Nr.:
195-2512
Herst. Teile-Nr.:
NVMYS3D3N06CLTWG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

133A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

NVMYS3D3N06CL

Gehäusegröße

LFPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

40.7nC

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.15mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Automobil-Leistungs-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für Kfz-Anwendungen, die eine höhere Zuverlässigkeit auf Platinenebene erfordern.

Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust

Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

LFPAK4-Gehäuse, Industriestandard

PPAP-fähig

Diese Geräte sind bleifrei

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