onsemi NVMJS2D5N06CL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 164 A 113 W, 8-Pin LFPAK

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RS Best.-Nr.:
195-2506
Herst. Teile-Nr.:
NVMJS2D5N06CLTWG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

164A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

LFPAK

Serie

NVMJS2D5N06CL

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

52nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

113W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.15mm

Länge

5mm

Breite

4.9 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Automobil-Leistungs-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für Kfz-Anwendungen, die eine höhere Zuverlässigkeit auf Platinenebene erfordern.

Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust

Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

LFPAK8-Gehäuse, Industriestandard

PPAP-fähig

Diese Geräte sind bleifrei

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