onsemi NVMFWS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 201 A 164 W, 8-Pin NVMFWS1D9N08XT1G SO-8FL

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RS Best.-Nr.:
220-571
Herst. Teile-Nr.:
NVMFWS1D9N08XT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

201A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

SO-8FL

Serie

NVMFWS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

164W

Durchlassspannung Vf

0.82V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

AEC and PPAP Capable

Breite

5.9 mm

Länge

4.9mm

Automobilstandard

AEC-Q

Ursprungsland:
MY
Der ON Semiconductor MOSFET hat einen niedrigen QRR. Dieses Gerät ist Pb-frei, halogenfrei/BFR-frei.

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten

RoHS-konform

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