onsemi NVMFWS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 253 A 194 W, 5-Pin NVMFWS1D5N08XT1G DFNW-5

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 2 Stück)*

8,16 €

(ohne MwSt.)

9,72 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück
Pro Stück
Pro Gurtabschnitt*
2 - 184,08 €8,16 €
20 - 1983,68 €7,36 €
200 - 9983,39 €6,78 €
1000 - 19983,14 €6,28 €
2000 +2,555 €5,11 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
220-570
Herst. Teile-Nr.:
NVMFWS1D5N08XT1G
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

253A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

NVMFWS

Gehäusegröße

DFNW-5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.43mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

194W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Breite

6 mm

Automobilstandard

AEC-Q

Ursprungsland:
MY
Der MOSFET von ON Semiconductor im 5x6-mm-Gehäuse mit flachen Anschlussdrähten wurde für kompakte und effiziente Designs entwickelt und bietet eine hohe thermische Leistung. Option für benetzbare Flanken zur verbesserten optischen Inspektion erhältlich. AEC-Q101-qualifizierter MOSFET und PPAP-fähig, geeignet für Automobilanwendungen.

Halogenfrei

RoHS-konform

Verwandte Links