onsemi NVMFWS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 121 A 63 W, 5-Pin NVMFWS2D3N04XMT1G DFNW-5

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RS Best.-Nr.:
220-573
Herst. Teile-Nr.:
NVMFWS2D3N04XMT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

121A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

NVMFWS

Gehäusegröße

DFNW-5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.35mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.82V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22.2nC

Maximale Verlustleistung Pd

63W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

AECQ101 Qualified and PPAP Capable

Länge

5mm

Breite

6 mm

Automobilstandard

AEC-Q

Ursprungsland:
MY
Der MOSFET von ON Semiconductor hat eine niedrige Kapazität zur Minimierung der Treiberverluste. Dieses Gerät ist Pb-frei, halogenfrei/BFR-frei.

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten

RoHS-konform

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