onsemi NVM Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 40 V / 233 A 104 W, 5-Pin DFNW-5

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 5 Stück)*

12,42 €

(ohne MwSt.)

14,78 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1.450 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Gurtabschnitt*
5 - 452,484 €12,42 €
50 - 2451,54 €7,70 €
250 - 4950,89 €4,45 €
500 +0,872 €4,36 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
648-512
Herst. Teile-Nr.:
NVMFWS1D1N04XMT1G
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

233A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

DFNW-5

Serie

NVM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.05mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

49.3nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

6 mm

Normen/Zulassungen

RoHS, Pb-Free

Länge

5mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
MY
Der ON Semiconductor Automotive Power MOSFET in einem 5 x 6 mm Flachkabelgehäuse wurde für kompakte und effiziente Designs entwickelt und umfasst eine hohe thermische Leistung. Belüftbare Flanke-Option für verbesserte optische Inspektion. Qualifizierter AEC-Q101-MOSFET und PPAP-fähig, geeignet für Kfz-Anwendungen.

Kleine Abmessungen

Niedriger RDS(ein)

Niedrige QG und Kapazität

Belüftbare Flanke-Option

RoHS-Konformität

Verwandte Links