onsemi NVMFWS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 156 A 133 W, 5-Pin NVMFWS2D5N08XT1G DFNW-5

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
220-574
Herst. Teile-Nr.:
NVMFWS2D5N08XT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

156A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

DFNW-5

Serie

NVMFWS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.55mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

133W

Durchlassspannung Vf

0.82V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

45nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Breite

6 mm

Länge

5mm

Automobilstandard

AEC-Q

Ursprungsland:
MY
Der Leistungs-MOSFET von ON Semiconductor in einem 5x6-mm-Gehäuse mit flachen Anschlussdrähten wurde für kompakte und effiziente Designs entwickelt und bietet eine hohe thermische Leistung. Option für benetzbare Flanken zur verbesserten optischen Inspektion erhältlich. AEC-Q101-qualifizierter MOSFET und PPAP-fähig, geeignet für Automobilanwendungen.

Halogenfrei

RoHS-konform

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