onsemi NTMYS1D2N04CL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 258 A 134 W, 8-Pin LFPAK

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Herst. Teile-Nr.:
NTMYS1D2N04CLTWG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

258A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

LFPAK

Serie

NTMYS1D2N04CL

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

134W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

109nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.9 mm

Höhe

1.2mm

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Industrieller Leistungs-MOSFET in einem 5 x 6 mm LFPAK-Gehäuse, entwickelt für kompakte und effiziente Designs und einschließlich hoher Wärmeleistung.

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