Microchip VP2450 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 160 mA 1.6 W, 3-Pin SOT-89

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RS Best.-Nr.:
177-9709
Herst. Teile-Nr.:
VP2450N8-G
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

160mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Gehäusegröße

SOT-89

Serie

VP2450

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

35Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.6W

Durchlassspannung Vf

-1.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.6mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

4.6mm

Breite

2.6 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
US
Dieser (normally off) Transistor mit niedrigem Schwellenwert als Anreicherungstyp verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.

Frei von sekundärer Durchschlagsspannung

Niedrige Anforderung an die Stromversorgung

Einfacher Parallelbetrieb

Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung

Ausgezeichnete Temperaturstabilität

Integrierte Source-Drain-Diode

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