Microchip TN2524 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 240 V / 360 A 1.6 W, 3-Pin SOT-89

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264-8919
Herst. Teile-Nr.:
TN2524N8-G
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

360A

Drain-Source-Spannung Vds max.

240V

Serie

TN2524

Gehäusegröße

SOT-89

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.6W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

4.6mm

Breite

2.6 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

1.6mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-MOSFET von Microchip mit niedrigem Schwellenwert-Verbesserungsmodus (normalerweise ausgeschaltet) nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Fertigungsverfahren mit Siliziumgatter. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.

Niedriger Schwellenwert (max. 2,0 V)

Hohe Eingangsimpedanz

Niedrige Eingangskapazität (max. 125 pF)

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

Frei von sekundären Störungen

Niedrige Eingangs- und Ausgangslecks

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