Microchip TN2524 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 240 V / 360 A 1.6 W, 3-Pin SOT-89
- RS Best.-Nr.:
- 264-8918
- Herst. Teile-Nr.:
- TN2524N8-G
- Marke:
- Microchip
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- RS Best.-Nr.:
- 264-8918
- Herst. Teile-Nr.:
- TN2524N8-G
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 360A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 240V | |
| Gehäusegröße | SOT-89 | |
| Serie | TN2524 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.6W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 4.6mm | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 2.6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 360A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 240V | ||
Gehäusegröße SOT-89 | ||
Serie TN2524 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.6W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 4.6mm | ||
Höhe 1.6mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 2.6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-MOSFET von Microchip mit niedrigem Schwellenwert-Verbesserungsmodus (normalerweise ausgeschaltet) nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Fertigungsverfahren mit Siliziumgatter. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.
Niedriger Schwellenwert (max. 2,0 V)
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität (max. 125 pF)
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundären Störungen
Niedrige Eingangs- und Ausgangslecks
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