Microchip DN3525 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Entleerung 250 V / 360 mA 1.6 W, 3-Pin SOT-89

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RS Best.-Nr.:
649-455
Herst. Teile-Nr.:
DN3525N8-G
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

360mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Gehäusegröße

SOT-89

Serie

DN3525

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6Ω

Channel-Modus

Entleerung

Maximale Verlustleistung Pd

1.6W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Durchlassspannung Vf

1.8V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

Lead (Pb)-free/RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Microchip-Transistor mit niedriger Schwelle im Depletion-Modus (normalerweise eingeschaltet) nutzt eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Siliziumgate-Fertigungsprozess. Diese Kombination ergibt ein Bauelement mit der Leistungsbelastbarkeitt von Bipolartransistoren und der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten, die MOS-Bauelementen eigen sind.

Hohe Eingangsimpedanz

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Geringer Durchlasswiderstand

Keine sekundäre Durchschaltung

Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage

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