Microchip Einfach N-Kanal, Oberfläche MOSFET 350 V Entleerung / 230 mA 1.6 W, 4-Pin

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RS Best.-Nr.:
829-3354
Herst. Teile-Nr.:
DN3535N8-G
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Transistor-Konfiguration

Einfach

Kabelkanaltyp

N

Montageart

Oberfläche

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

350 V

Channel-Modus

Entleerung

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

230 mA

Maximale Verlustleistung (Pd)

1.6 W

Pinanzahl

4

Höhe

1.6 mm

Länge

4.6 mm

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

10 Ω

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V, -20 V

Maximale Betriebstemperatur

150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Breite

2.6 mm

Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors


The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.

Features


High input impedance

Low input capacitance

Fast switching speeds

Low on-resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

Typical Applications


Normally-on switches

Solid state relays

Converters

Linear amplifiers

Constant current sources

Power supply circuits

Telecoms

MOSFET Transistors, Microchip


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