Microchip LND150 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 500 V / 30 mA 1.6 W, 4-Pin TO-243

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*

1.054,00 €

(ohne MwSt.)

1.254,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 27. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2000 +0,527 €1.054,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
178-5275
Herst. Teile-Nr.:
LND150N8-G
Marke:
Microchip
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Microchip

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Gehäusegröße

TO-243

Serie

LND150

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1kΩ

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.6W

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

4.6mm

Breite

2.6 mm

Höhe

1.6mm

Automobilstandard

Nein

MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus


Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.

Merkmale


Hohe Eingangsimpedanz

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Frei von sekundärer Durchschlagsspannung

Niedriger Eingangs- und Leckstrom

Typische Anwendungen:


Schließerschalter

Halbleiterrelais

Wandler

Lineare Verstärker

Konstantstrom-Quellen

Netzteilschaltungen

Telekommunikation

MOSFET-Transistoren, Microchip


Verwandte Links

Recently viewed