Microchip LND150 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 500 V / 30 mA 1.6 W, 4-Pin TO-243

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Herst. Teile-Nr.:
LND150N8-G
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Serie

LND150

Gehäusegröße

TO-243

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1kΩ

Channel-Modus

Entleerung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.6W

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

2.6 mm

Länge

4.6mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.6mm

Automobilstandard

Nein

MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus


Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.

Merkmale


Hohe Eingangsimpedanz

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Frei von sekundärer Durchschlagsspannung

Niedriger Eingangs- und Leckstrom

Typische Anwendungen:


Schließerschalter

Halbleiterrelais

Wandler

Lineare Verstärker

Konstantstrom-Quellen

Netzteilschaltungen

Telekommunikation

MOSFET-Transistoren, Microchip


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