- RS Best.-Nr.:
- 177-3294
- Herst. Teile-Nr.:
- DN2540N8-G
- Marke:
- Microchip
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- Ursprungsland:
- TW
Produktdetails
Der DN2540 ist ein (normally on) Transistor mit Verarmungsmodus und niedrigem Schwellenwert, für den die fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren verwendet wurde. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikale DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.
Zusätzliche Merkmale:Hohe EingangsimpedanzNiedrige EingangskapazitätSchnelle SchaltgeschwindigkeitenGeringer Widerstand im eingeschalteten ZustandFrei von sekundären Störungen Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 170 mA |
Drain-Source-Spannung max. | 400 V |
Gehäusegröße | TO-243AA |
Serie | DN2540 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 25 Ω |
Channel-Modus | Depletion |
Verlustleistung max. | 1,6 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | 20 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 2.6mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Länge | 4.6mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1.8V |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Höhe | 1.6mm |
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