- RS Best.-Nr.:
- 177-9854
- Herst. Teile-Nr.:
- TN2540N8-G
- Marke:
- Microchip
Voraussichtlich ab 16.07.2024 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einer VPE à 10)
1,543 €
(ohne MwSt.)
1,836 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
10 - 20 | 1,543 € | 15,43 € |
30 - 90 | 1,463 € | 14,63 € |
100 + | 1,332 € | 13,32 € |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 177-9854
- Herst. Teile-Nr.:
- TN2540N8-G
- Marke:
- Microchip
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- US
Produktdetails
Dieser (normally off) Transistor mit niedrigem Schwellenwert als Anreicherungstyp verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.
Niedriger Schwellenwert (max. 2,0 V)
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität (max. 125 pF)
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität (max. 125 pF)
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 260 mA |
Drain-Source-Spannung max. | 400 V |
Gehäusegröße | TO-243AA |
Serie | TN2540 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 12 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2V |
Gate-Schwellenspannung min. | 0.6V |
Verlustleistung max. | 1,6 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | 20 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Länge | 4.6mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Breite | 2.6mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1.8V |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Höhe | 1.6mm |
Verwandte Produkte
- Microchip LND150N8-G N-Kanal6 W, 4-Pin TO-243AA
- Microchip VN2460 VN2460N8-G N-Kanal6 W, 3-Pin TO-243AA
- Microchip VP2450 VP2450N8-G P-Kanal6 W, 3-Pin SOT-89
- Microchip TP2540 TP2540N8-G P-Kanal6 W, 3-Pin TO-243AA
- Microchip DN3535N8-G N-Kanal6 W, 4-Pin TO-243AA
- Microchip DN2540 DN2540N8-G N-Kanal6 W, 3-Pin TO-243AA
- Microchip TN2540N3-G N-Kanal, THT MOSFET 400 V TO-92
- Microchip TN2640K4-G N-Kanal, THT MOSFET 400 V DPAK