Microchip DN2470 Typ N-Kanal, Oberfläche HF MOSFET 700 V Entleerung / 170 mA, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
598-941
Herst. Teile-Nr.:
DN2470K4-G
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Produkt Typ

HF MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

170mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Serie

DN2470

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Entleerung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.94in

Länge

0.245in

Breite

0.265 in

Normen/Zulassungen

RoHS-compliant

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Niedrigschwellen-Erschöpfungsmodus-Transistor von Microchip nutzt eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Fertigungsprozess mit Silizium-Gate. Diese Kombination ergibt ein Bauelement mit der Leistungsbelastbarkeitt von Bipolartransistoren und der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten, die MOS-Bauelementen eigen sind. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von thermischem Durchgehen und thermisch induziertem Sekundärdurchbruch ist. Der vertikale DMOS-FET eignet sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkungsanwendungen, bei denen eine sehr niedrige Schwellenspannung, eine hohe Unterbrechungsspannung, eine hohe Eingangsimpedanz, eine niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten gewünscht werden.

Hohe Eingangsimpedanz

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Geringer Widerstand

Keine sekundäre Durchschaltung

Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage

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