ROHM RD3G08CBLHRB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 40 V / 80 A 96 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 264-956
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3G08CBLHRBTL
- Marke:
- ROHM
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 5 Stück)*
5,83 €
(ohne MwSt.)
6,94 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 2.485 Einheit(en) mit Versand ab 19. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,166 € | 5,83 € |
| 50 - 95 | 1,106 € | 5,53 € |
| 100 - 495 | 1,024 € | 5,12 € |
| 500 - 995 | 0,944 € | 4,72 € |
| 1000 + | 0,91 € | 4,55 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 264-956
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3G08CBLHRBTL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | RD3G08CBLHRB | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.2mΩ | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 96W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC-Q101 | |
| Länge | 10mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie RD3G08CBLHRB | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.2mΩ | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 96W | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC-Q101 | ||
Länge 10mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der ROHM-MOSFET, der sich durch seine beeindruckende Leistung in verschiedenen Anwendungen auszeichnet. Dieses auf hohe Effizienz ausgelegte Bauteil zeichnet sich durch eine hohe Leistung bei minimaler Wärmeentwicklung aus und ist damit ideal für anspruchsvolle Automobil- und Industrieumgebungen. Sein kompaktes DPAK-Gehäuse gewährleistet eine einfache Integration in platzbeschränkte Layouts, während die RoHS-konforme, bleifreie Konstruktion die Einhaltung moderner Umweltstandards garantiert.
Entspricht den RoHS-Normen zur Gewährleistung der Umweltsicherheit
Kompaktes DPAK-Gehäuse ermöglicht platzsparende Designs
Getestet unter strengen Bedingungen für garantierte Zuverlässigkeit
Verwandte Links
- ROHM RD3 Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- ROHM AG085FG Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- ROHM RD3P06BBKH Typ N-Kanal 8-Pin TO-252
- ROHM R60 Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- ROHM RD3L08CBLHRB Typ N-Kanal 3-Pin TO-252 (TL)
- ROHM AG185FGD3HRB Typ N-Kanal 3-Pin TO-252 (TL)
- ROHM RH Typ P-Kanal 8-Pin HSMT-8
- Microchip DN2625 Typ N-Kanal 3-Pin TO-252