Microchip LND150 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Entleerung 500 V / 30 mA 740 mW, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 829-3250
- Herst. Teile-Nr.:
- LND150N3-G
- Marke:
- Microchip
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Serie | LND150 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1kΩ | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 740mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5.2mm | |
| Breite | 4.19 mm | |
| Höhe | 5.33mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Serie LND150 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1kΩ | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 740mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5.2mm | ||
Breite 4.19 mm | ||
Höhe 5.33mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus
Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.
Merkmale
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom
Typische Anwendungen:
Schließerschalter
Halbleiterrelais
Wandler
Lineare Verstärker
Konstantstrom-Quellen
Netzteilschaltungen
Telekommunikation
MOSFET-Transistoren, Microchip
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