Microchip DN3545 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Entleerung 450 V / 130 mA 740 mW, 3-Pin DN3545N3-G TO-92

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829-3358
Herst. Teile-Nr.:
DN3545N3-G
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

130mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

450V

Serie

DN3545

Gehäusegröße

TO-92

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20Ω

Channel-Modus

Entleerung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.8V

Maximale Verlustleistung Pd

740mW

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.2mm

Höhe

5.33mm

Breite

4.19 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus


Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.

Merkmale


Hohe Eingangsimpedanz

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Frei von sekundärer Durchschlagsspannung

Niedriger Eingangs- und Leckstrom

Typische Anwendungen:


Schließerschalter

Halbleiterrelais

Wandler

Lineare Verstärker

Konstantstrom-Quellen

Netzteilschaltungen

Telekommunikation

MOSFET-Transistoren, Microchip


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