Microchip TN2106 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 300 mA 740 mW, 3-Pin TO-92

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RS Best.-Nr.:
177-9692
Herst. Teile-Nr.:
TN2106N3-G
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

300mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

TN2106

Gehäusegröße

TO-92

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.8V

Maximale Verlustleistung Pd

740mW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.08mm

Höhe

5.33mm

Breite

4.06 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TW
Dieser (normally off) Transistor mit niedrigem Schwellenwert als Anreicherungstyp verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.

Frei von sekundärer Durchschlagsspannung

Niedrige Anforderung an die Stromversorgung

Einfacher Parallelbetrieb

Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Ausgezeichnete Temperaturstabilität

Integrierte Source-Drain-Diode

Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung

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