Microchip DN2535 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Entleerung 350 V / 120 mA 1 W, 3-Pin TO-92

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829-3332
Herst. Teile-Nr.:
DN2535N3-G
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

350V

Serie

DN2535

Gehäusegröße

TO-92

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

25Ω

Channel-Modus

Entleerung

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.8V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

5.33mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.2mm

Automobilstandard

Nein

MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus


Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.

Merkmale


Hohe Eingangsimpedanz

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Frei von sekundärer Durchschlagsspannung

Niedriger Eingangs- und Leckstrom

Typische Anwendungen:


Schließerschalter

Halbleiterrelais

Wandler

Lineare Verstärker

Konstantstrom-Quellen

Netzteilschaltungen

Telekommunikation

MOSFET-Transistoren, Microchip


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