Microchip DN2535 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Entleerung 350 V / 120 mA 1 W, 3-Pin TO-92

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RS Best.-Nr.:
170-4347
Herst. Teile-Nr.:
DN2535N3-G
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

350V

Serie

DN2535

Gehäusegröße

TO-92

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

25Ω

Channel-Modus

Entleerung

Durchlassspannung Vf

1.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

5.33mm

Länge

5.2mm

Breite

4.19 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TH

MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus


Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.

Merkmale


Hohe Eingangsimpedanz

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Frei von sekundärer Durchschlagsspannung

Niedriger Eingangs- und Leckstrom

Typische Anwendungen:


Schließerschalter

Halbleiterrelais

Wandler

Lineare Verstärker

Konstantstrom-Quellen

Netzteilschaltungen

Telekommunikation

MOSFET-Transistoren, Microchip


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