Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 240 V / 260 mA 1 W, 3-Pin SOT-89

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RS Best.-Nr.:
752-8249
Herst. Teile-Nr.:
BSS87H6327FTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

260mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

240V

Gehäusegröße

SOT-89

Serie

SIPMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.5mm

Länge

4.5mm

Breite

2.5 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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