Microchip VP2450 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 160 mA 1.6 W, 3-Pin SOT-89
- RS Best.-Nr.:
- 177-9737P
- Herst. Teile-Nr.:
- VP2450N8-G
- Marke:
- Microchip
Zwischensumme 5 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
8,06 €
(ohne MwSt.)
9,59 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 1.910 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 5 + | 1,612 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 177-9737P
- Herst. Teile-Nr.:
- VP2450N8-G
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 160mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Serie | VP2450 | |
| Gehäusegröße | SOT-89 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 35Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.6W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Länge | 4.6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 160mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Serie VP2450 | ||
Gehäusegröße SOT-89 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 35Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.6W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.6mm | ||
Länge 4.6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- US
Dieser (normally off) Transistor mit niedrigem Schwellenwert als Anreicherungstyp verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedrige Anforderung an die Stromversorgung
Einfacher Parallelbetrieb
Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
Ausgezeichnete Temperaturstabilität
Integrierte Source-Drain-Diode
Verwandte Links
- Bosch Rexroth MGE Alu Strebenprofil 45 x 45 mm Länge 3000mm
- Pilz PNOZ X2.8P Sicherheitsrelais 1 3 Sicherheitskontakte
- STMicroelectronics ST-LINK/V2 Chip-Programmiergerät Programmierer, STM8- und STM32-MCUs
- Pilz PNOZ X3 Sicherheitsrelais 2-Kanal 1
- RS PRO Thermoelement Typ K, Ø 1/0.3mm x 5m → +250°C
- RS PRO Miniaturgröße Thermoelement-Steckverbinder Stecker für Thermoelement Typ K
- ABB DDA 200 A RCD/FI-Schalter 40A, 30mA Typ A System Pro M Compact CE 230 → 400V
- Pilz PNOZ X2.1 Sicherheitsrelais 2-Kanal 4 ISO