Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 18 A 130 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 178-0826
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF640SPBF
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
66,10 €
(ohne MwSt.)
78,65 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,322 € | 66,10 € |
| 100 - 200 | 1,124 € | 56,20 € |
| 250 + | 1,058 € | 52,90 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-0826
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF640SPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 18 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 200 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 180 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 130 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Länge | 10.67mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 9.65mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 70 nC @ 10 V | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 18 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 200 V | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 180 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 130 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Länge 10.67mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 9.65mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 70 nC @ 10 V | ||
Höhe 4.83mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Verwandte Links
- Vishay N-Kanal 3-Pin D2PAK (TO-263)
- Texas Instruments NexFET N-Kanal 3-Pin D2PAK (TO-263)
- Vishay THT Diode 2-Pin D2PAK (TO-263)
- Vishay SMD Schottky Diode 3-Pin D2PAK (TO-263)
- Infineon IPF Typ N-Kanal 7-Pin TO-263
- onsemi NTB6411ANT4G N-Kanal 3-Pin D2PAK (TO-263)
- ROHM Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 24 A 104 W, 7-Pin TO-263
- onsemi PowerTrench N-Kanal 3-Pin D2PAK (TO-263)