onsemi NTB6411ANT4G N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 77 A 217 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 719-2856P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTB6411ANT4G
- Marke:
- onsemi
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- NTB6411ANT4G
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 77 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 14 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Verlustleistung max. | 217 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 100 nC @ 10 V | |
| Breite | 9.65mm | |
| Länge | 10.29mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 77 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 14 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Verlustleistung max. 217 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 100 nC @ 10 V | ||
Breite 9.65mm | ||
Länge 10.29mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 4.83mm | ||
N-Kanal Leistungs-MOSFET, 100 V bis 1700 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
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