onsemi QFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 21 A 3,13 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
166-1750
Herst. Teile-Nr.:
FQB19N20LTM
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

21 A

Drain-Source-Spannung max.

200 V

Serie

QFET

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

140 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

3,13 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

9.65mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10.67mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

27 nC @ 5 V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

4.83mm

Ursprungsland:
MY

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