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    onsemi QFET FQB19N20LTM N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 21 A 3,13 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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    RS Best.-Nr.:
    166-1750
    Herst. Teile-Nr.:
    FQB19N20LTM
    Marke:
    onsemi

    Ursprungsland:
    MY
    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.21 A
    Drain-Source-Spannung max.200 V
    SerieQFET
    GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.140 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung min.1V
    Verlustleistung max.3,13 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Länge10.67mm
    Transistor-WerkstoffSi
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Breite9.65mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs27 nC @ 5 V
    Höhe4.83mm
    Betriebstemperatur min.–55 °C

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