Vishay IRF510SPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 5,6 A 3,7 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 178-0860
Herst. Teile-Nr.:: IRF510SPBF
Marke:: Vishay

Vishay IRF510SPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 5,6 A 3,7 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Preis pro Stück (In einer Stange von 50)

0,894 €

(ohne MwSt.)

1,064 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
50 - 50	0,894 €	44,70 €
100 - 200	0,76 €	38,00 €
250 +	0,671 €	33,55 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 178-0860
Herst. Teile-Nr.:: IRF510SPBF
Marke:: Vishay

Mehr Infos und technische Dokumente

Power MOSFET Datasheet

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	5,6 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	540 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	3,7 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	8,3 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	4.83mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C