Vishay IRF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 5.6 A 3.7 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
543-1645
Herst. Teile-Nr.:
IRF510SPBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

IRF

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

540mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.3nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

3.7W

Durchlassspannung Vf

2.5V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.83 mm

Höhe

4.83mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.67mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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