Vishay IRF510SPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 5,6 A 3,7 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 543-1645
Herst. Teile-Nr.:: IRF510SPBF
Marke:: Vishay

Vishay IRF510SPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 5,6 A 3,7 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Herst. Teile-Nr.:: IRF510SPBF
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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	5,6 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	540 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	3,7 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	8,3 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	4.83mm