Vishay IRFS9N60A N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 9.2 A 170 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 542-9995
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS9N60APBF
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | IRFS9N60A | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 750mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30V, +30V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 49nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 9.65mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie IRFS9N60A | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 750mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30V, +30V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 49nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 9.65mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRFS9N60A von Vishay, 600 V Drain-Quellenspannung, 9,2 A kontinuierlicher Drain-Strom – IRFS9N60APBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für Oberflächenmontageanwendungen entwickelt wurde, bei denen eine robuste thermische und elektrische Leistung erforderlich ist. Er arbeitet über einen erweiterten Umgebungsbereich und ist für den Einsatz in Leistungsumwandlungs-, Schalt- und Hochspannungsschaltkreisen vorgesehen, die eine Kombination aus Strombelastbarkeit und Spannungsfestigkeit erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 600-V-Ableitstrom ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 9,2 A Dauerstromfähigkeit unterstützt moderate Lasten
• 750 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Maximale Verlustleistung von 170 W ermöglicht einen hohen Leistungsdurchsatz
• Die typische Gate-Ladung von 49 nC optimiert die Schaltdynamik
• 30-V-Gate-Schwelle ermöglicht gängige Gate-Drive-Spannungen
• 9,2 A Dauerstromfähigkeit unterstützt moderate Lasten
• 750 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Maximale Verlustleistung von 170 W ermöglicht einen hohen Leistungsdurchsatz
• Die typische Gate-Ladung von 49 nC optimiert die Schaltdynamik
• 30-V-Gate-Schwelle ermöglicht gängige Gate-Drive-Spannungen
Anwendungen
• Geeignet für Offline-Schaltnetzteile
• Ideal für Hochspannungs-Motorantriebsstufen
• Wird für Wechselrichter und Umrichter für erneuerbare Energien verwendet
• Kann für industrielle Leistungsregler verwendet werden
• Geeignet für Hochspannungs-Beleuchtungs-Vorspannungsausführungen
• Ideal für Hochspannungs-Motorantriebsstufen
• Wird für Wechselrichter und Umrichter für erneuerbare Energien verwendet
• Kann für industrielle Leistungsregler verwendet werden
• Geeignet für Hochspannungs-Beleuchtungs-Vorspannungsausführungen
Welche thermischen Extreme kann er während des Betriebs tolerieren?
Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in einer Vielzahl von thermischen Umgebungen.
Wie ist die Komponente für die Montage auf Leiterplatten verpackt?
Er wird in einem TO-263-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist und die Wärmeableitung und die automatisierte Montage erleichtert.
Welche Gate-Drive-Spannungsgrenzwerte sollten beachtet werden?
Die maximale Gate-to-Source-Spannung beträgt 30 V, die nicht überschritten werden sollte, um eine Beschädigung des Gate-Oxids zu vermeiden.
Verwendet das Gerät den Betrieb im Enhancement- oder Depletion-Modus?
Es handelt sich um einen N-Kanal-MOSFET mit Enhancement-Modus, der einen positiven Gate-Antrieb in Bezug auf die Quelle für die Leitfähigkeit erfordert.
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