Vishay IRFB9N60A N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 9.2 A 170 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 541-1922
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB9N60APBF
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | IRFB9N60A | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 750mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 49nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30V, +30V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.7mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 10.41mm | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie IRFB9N60A | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 750mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 49nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30V, +30V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.7mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 10.41mm | ||
Höhe 9.01mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRFB9N60A von Vishay, 600 V Drain-Source-Spannung, 9,2 A kontinuierlicher Drain-Strom – IRFB9N60APBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor für Schalt- und Verstärkungsaufgaben in der Industrieelektronik. Er arbeitet als Enhancement-Modus-Gerät und wird in einem TO-220AB-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das für die Montage von Kühlkörpern geeignet ist. Die Komponente ist für einen breiten Temperaturbereich ausgelegt und eignet sich daher für anspruchsvolle thermische Umgebungen.
Merkmale und Vorteile:
• 600 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 9.2 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• 750 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Maximale Verlustleistung von 170 W ermöglicht eine hohe Leistungsaufnahme
• 49 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Schaltdynamik
• Gate-Toleranz von 30 V unterstützt Standard-Gate-Drive-Spannungen
• 9.2 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• 750 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Maximale Verlustleistung von 170 W ermöglicht eine hohe Leistungsaufnahme
• 49 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Schaltdynamik
• Gate-Toleranz von 30 V unterstützt Standard-Gate-Drive-Spannungen
Anwendungen
• Geeignet für Offline-Stromversorgungen und SMPS
• Ideal für Wechselrichter- und Motorantriebsstufen
• Wird mit Hochspannungs-DC/DC-Wandlern verwendet
• Kann für induktives Lastschalten in industriellen Geräten verwendet werden
• Wird für Power-Stage-Prototypen auf Durchsteck-Entwicklungsplatinen verwendet
• Ideal für Wechselrichter- und Motorantriebsstufen
• Wird mit Hochspannungs-DC/DC-Wandlern verwendet
• Kann für induktives Lastschalten in industriellen Geräten verwendet werden
• Wird für Power-Stage-Prototypen auf Durchsteck-Entwicklungsplatinen verwendet
Welche thermischen Extreme kann das Gerät im Betrieb tolerieren?
Es ist spezifiziert für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C Umgebungstemperatur und ist für Tieftemperaturanlässe und erhöhte thermische Belastungen ausgelegt.
Wie unterstützt das Gehäuse die Montage und Kühlung in Systemen?
Das Design des TO-220AB ermöglicht eine sichere Durchsteckbefestigung und die direkte Befestigung an einem Kühlkörper für eine verbesserte Wärmeleitung.
Welche Gate-Drive-Bedenken sind für die Schaltleistung erforderlich?
Die Antriebsspannungen sollten innerhalb von ±30 V von Gate-to-Source bleiben
Die Gate-Ladung von 49 nC beeinflusst den erforderlichen Treiberstrom für eine gezielte Schaltgeschwindigkeit.
Ist das Gerät für Anwendungen in Automobilqualität geeignet?
Es entspricht nicht den Automobilstandards und wird daher eher für industrielle als für den Automobilbereich zertifizierte Einsätze empfohlen.
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