Vishay IRFB9N60A N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 9.2 A 170 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 178-0821
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB9N60APBF
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
82,20 €
(ohne MwSt.)
97,80 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Nur noch Restbestände
- Letzte 950 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,644 € | 82,20 € |
| 100 - 200 | 1,398 € | 69,90 € |
| 250 + | 1,315 € | 65,75 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-0821
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB9N60APBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | IRFB9N60A | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 750mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30V, +30V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 49nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.41mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 4.7mm | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie IRFB9N60A | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 750mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30V, +30V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 49nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.41mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 4.7mm | ||
Höhe 9.01mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRFB9N60A von Vishay, 600 V Drain-Source-Spannung, 9,2 A kontinuierlicher Drain-Strom – IRFB9N60APBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor für Schalt- und Verstärkungsaufgaben in der Industrieelektronik. Er arbeitet als Enhancement-Modus-Gerät und wird in einem TO-220AB-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das für die Montage von Kühlkörpern geeignet ist. Die Komponente ist für einen breiten Temperaturbereich ausgelegt und eignet sich daher für anspruchsvolle thermische Umgebungen.
Merkmale und Vorteile:
• 600 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 9.2 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• 750 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Maximale Verlustleistung von 170 W ermöglicht eine hohe Leistungsaufnahme
• 49 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Schaltdynamik
• Gate-Toleranz von 30 V unterstützt Standard-Gate-Drive-Spannungen
• 9.2 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• 750 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Maximale Verlustleistung von 170 W ermöglicht eine hohe Leistungsaufnahme
• 49 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Schaltdynamik
• Gate-Toleranz von 30 V unterstützt Standard-Gate-Drive-Spannungen
Anwendungen
• Geeignet für Offline-Stromversorgungen und SMPS
• Ideal für Wechselrichter- und Motorantriebsstufen
• Wird mit Hochspannungs-DC/DC-Wandlern verwendet
• Kann für induktives Lastschalten in industriellen Geräten verwendet werden
• Wird für Power-Stage-Prototypen auf Durchsteck-Entwicklungsplatinen verwendet
• Ideal für Wechselrichter- und Motorantriebsstufen
• Wird mit Hochspannungs-DC/DC-Wandlern verwendet
• Kann für induktives Lastschalten in industriellen Geräten verwendet werden
• Wird für Power-Stage-Prototypen auf Durchsteck-Entwicklungsplatinen verwendet
Welche thermischen Extreme kann das Gerät im Betrieb tolerieren?
Es ist spezifiziert für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C Umgebungstemperatur und ist für Tieftemperaturanlässe und erhöhte thermische Belastungen ausgelegt.
Wie unterstützt das Gehäuse die Montage und Kühlung in Systemen?
Das Design des TO-220AB ermöglicht eine sichere Durchsteckbefestigung und die direkte Befestigung an einem Kühlkörper für eine verbesserte Wärmeleitung.
Welche Gate-Drive-Bedenken sind für die Schaltleistung erforderlich?
Die Antriebsspannungen sollten innerhalb von ±30 V von Gate-to-Source bleiben
Die Gate-Ladung von 49 nC beeinflusst den erforderlichen Treiberstrom für eine gezielte Schaltgeschwindigkeit.
Ist das Gerät für Anwendungen in Automobilqualität geeignet?
Es entspricht nicht den Automobilstandards und wird daher eher für industrielle als für den Automobilbereich zertifizierte Einsätze empfohlen.
Verwandte Links
- Vishay IRFB9N60A N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay IRFB11N50A N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Infineon HEXFET N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- onsemi QFET N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- onsemi PowerTrench N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay IRFBE N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Infineon HEXFET N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- onsemi QFET N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB