Vishay IRFB11N50A Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 11 A 170 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 541-1944
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB11N50APBF
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
2,80 €
(ohne MwSt.)
3,33 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 137 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 219 Einheit(en) mit Versand ab 03. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,80 € |
| 10 - 49 | 2,70 € |
| 50 - 99 | 2,60 € |
| 100 - 249 | 2,46 € |
| 250 + | 2,33 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 541-1944
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB11N50APBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRFB11N50A | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 520mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 52nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Breite | 4.7mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 10.41mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRFB11N50A | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 520mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 52nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 9.01mm | ||
Breite 4.7mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 10.41mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRFB11N50A von Vishay, 500 V maximale Drain-Source-Spannung, 11 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - IRFB11N50APBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgerät, das für die Leistungsumwandlung und -steuerung in industriellen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet als Enhancement-Modus-Transistor zur Verwaltung von Hochspannungslasten und wird mit einem TO-220AB-Gehäuse mit Durchgangsbohrung für einfache Kühlkörper und Montage durch die Leiterplatte montiert.
Merkmale und Vorteile:
• Maximale Drain-Source-Spannung von 500 V ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 11 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• 520 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Schwachstromkreisen
• Die Verlustleistung von 170 W ermöglicht eine erhebliche thermische Handhabung
• 52 nC typische Gate-Ladung erleichtert vorhersehbare Schaltdynamik
• Die maximale Betriebstemperatur von 150 °C hält erhöhten thermischen Umgebungen stand
• 11 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• 520 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Schwachstromkreisen
• Die Verlustleistung von 170 W ermöglicht eine erhebliche thermische Handhabung
• 52 nC typische Gate-Ladung erleichtert vorhersehbare Schaltdynamik
• Die maximale Betriebstemperatur von 150 °C hält erhöhten thermischen Umgebungen stand
Anwendungen
• Geeignet für SMPS-Primärseitiges Schalten in Netzteilen
• Ideal für Frequenzumrichter in Motorantrieben
• Verwendet für Hochspannungs-DC/DC-Wandlungsmodule
• Kann für industrielle Relais- und Schützantriebsschaltkreise verwendet werden
• Ideal für Frequenzumrichter in Motorantrieben
• Verwendet für Hochspannungs-DC/DC-Wandlungsmodule
• Kann für industrielle Relais- und Schützantriebsschaltkreise verwendet werden
Welche Gate-Antriebsgrenzwerte sollte ich für einen sicheren Betrieb beachten?
Treiben Sie das Gate innerhalb von ±30 V an, um die maximale Gate-Source-Nennleistung zu vermeiden und eine zuverlässige Schaltung zu gewährleisten.
Wie wirkt sich das Wärmemanagement auf die Leistung unter kontinuierlicher Last aus?
Befestigen Sie einen Kühlkörper an der TO-220AB-Flachstecker, um die Sperrschichttemperatur unter den maximalen Grenzwerten zu halten und die angegebene Verlustleistung aufrechtzuerhalten.
Welcher Umgebungsbereich wird für den Einsatz auf Industrieanlagen unterstützt?
Das Gerät verträgt Betriebstemperaturen von bis zu -55 °C und bis zu 150 °C für den Einsatz unter weiten Umgebungsbedingungen.
Wie wirkt sich die Gehäusetyp auf die Montage und Wartungsfähigkeit aus?
Das durchkontaktierte TO-220AB-Format ermöglicht eine sichere mechanische Montage und einen einfachen Austausch während der Wartung.
Verwandte Links
- Vishay IRFB Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Vishay IRFBE Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Vishay IRFBE Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Vishay Einfach Typ N-Kanal Leistungs-MOSFET 500 V / 11 A 170 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- ROHM RX3P10BBH Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Vishay IRFB9N60A Typ N-Kanal 3-Pin TO-220