Vishay IRFBE30 N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 4.1 A 125 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 541-1124
- Distrelec-Artikelnummer:
- 171-15-208
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFBE30PBF
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRFBE30 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 78nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.41mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 4.7mm | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRFBE30 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 78nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.41mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 4.7mm | ||
Höhe 9.01mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRFBE30 von Vishay, 800 V Drain-Source-Spannung, 4,1 A kontinuierlicher Drain-Strom – IRFBE30PBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Verstärkungsaufgaben in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und wird in einem durchkontaktierten TO-220AB-Gehäuse mit drei Stiften geliefert, wodurch er sich für wartungsfähige Stromversorgungsdesigns eignet, bei denen die thermische Handhabung und die einfache Montage Priorität haben.
Merkmale und Vorteile:
• 800 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 4,1 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• Die Verlustleistung von 125 W ermöglicht eine erhebliche Wärmemanagement
• Maximale Rds(on) von 3 Ω vereinfacht die Antriebsanforderungen bei niedrigen Schaltgeschwindigkeiten
• Typische Gate-Ladung von 78 nC reduziert den Energiebedarf des Gate-Antriebs
• Die Gate-Source-Grenze von 20 V schützt das Gate bei normalen Steuerspannungen
• 4,1 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• Die Verlustleistung von 125 W ermöglicht eine erhebliche Wärmemanagement
• Maximale Rds(on) von 3 Ω vereinfacht die Antriebsanforderungen bei niedrigen Schaltgeschwindigkeiten
• Typische Gate-Ladung von 78 nC reduziert den Energiebedarf des Gate-Antriebs
• Die Gate-Source-Grenze von 20 V schützt das Gate bei normalen Steuerspannungen
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler
• Ideal für Schaltnetzteile Instrumentierung
• Verwendung mit diskreten Linearreglern, die hohe Vds erfordern
• Kann für die industrielle Motorsteuerung bei moderaten Strömen verwendet werden
• Geeignet für Durchsteckprototypen und Reparaturarbeiten
• Ideal für Schaltnetzteile Instrumentierung
• Verwendung mit diskreten Linearreglern, die hohe Vds erfordern
• Kann für die industrielle Motorsteuerung bei moderaten Strömen verwendet werden
• Geeignet für Durchsteckprototypen und Reparaturarbeiten
Welchen Temperatur-Extremen kann er im Betrieb standhalten?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und unterstützt Anwendungen, die großen Umgebungsstörungen ausgesetzt sind.
Wie wird die Komponente montiert und an einem Stromkreis angeschlossen?
Es verwendet ein durchkontaktiertes TO-220AB-Gehäuse mit drei Stiften für eine einfache Leiterplattenmontage und eine herkömmliche Kühlkörperbefestigung.
Welche Überlegungen sollten bei Gate-Antrieben beachtet werden?
Halten Sie die Amplitude des Gate-Antriebs innerhalb von maximal 20 V, um die Nennspannung der Gate-Source zu vermeiden, und entwerfen Sie einen Antriebsschaltkreis, um eine Gate-Ladung von etwa 78 nC für ein effektives Schalten zu liefern.
Welche Art von Leitungsart wird verwendet?
Es handelt sich um ein N-Kanal-Gerät mit Enhancement-Modus, das eine positive Gate-Spannung in Bezug auf die Quelle zur Leitung erfordert.
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