Vishay E SIHP15N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 13 A, 3-Pin TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 210-4992
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP15N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
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Preis pro Stück (In einer VPE à 5)
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2,816 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,366 € | 11,83 € |
| 50 - 120 | 2,082 € | 10,41 € |
| 125 - 245 | 1,656 € | 8,28 € |
| 250 - 495 | 1,372 € | 6,86 € |
| 500 + | 1,142 € | 5,71 € |
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- 210-4992
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP15N80AE-GE3
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie hat ein TO-220AB-Gehäuse mit 13 A Ableitstrom.
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
Lawinenenergie (UIS)
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
Lawinenenergie (UIS)
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 13 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 800 V |
| Serie | E |
| Gehäusegröße | TO-220AB |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,304 Ω |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2 → 4V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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