Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 13 A 156 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 210-4969
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB15N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
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| 50 - 50 | 1,56 € | 78,00 € |
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| 250 + | 1,092 € | 54,60 € |
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- SIHB15N80AE-GE3
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | E | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 304mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 35nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 156W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 9.65mm | |
| Länge | 14.61mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 4.06mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie E | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 304mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 35nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 156W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 9.65mm | ||
Länge 14.61mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 4.06mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 800 V Drain-Source-Spannung, 13 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHB15N80AE-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für die Leistungsschaltung in der Industrieelektronik vorgesehen ist. Er ist für die Oberflächenmontage in TO-263-Gehäusen konzipiert und arbeitet über einen breiten thermischen Bereich für anspruchsvolle Anwendungen, bei denen eine robuste Spannungsführung und eine kompakte Montage erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• 800 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 13 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme • 304 mΩ Rds(on) reduzieren Leitungsverluste während des Betriebs • 35 nC typische Gate-Ladung ermöglicht effiziente Schaltsteuerung • Maximale Gate-Ansteuerung von 30 V für gängige Gate-Ansteuerungsspannungen • Die Verlustleistung von 156 W verbessert die thermische Handhabung unter Last
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungs-Motorantriebsstufen in Automatisierungssystemen • Ideal für Stromversorgungen, die kompakte Schalter für die Oberflächenmontage erfordern • Wird für industrielle Wechselrichter- und Wandler-Schaltfunktionen verwendet • Kann für Hochspannungsschutz und Klemmschaltungen verwendet werden
In welchem Temperaturbereich kann er betrieben werden?
Es funktioniert von -55 °C bis zu einer maximalen Sperrschichttemperatur von 150 °C für Hochtemperaturumgebungen.
Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode wird verwendet?
Es wird in einem TO-263-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage auf Leiterplatten vorgesehen ist.
Welche Gate-Treiber-Einschränkungen sollten Entwickler beachten?
Das Gerät darf eine Gate-to-Source-Spannung von 30 V nicht überschreiten, um Gate-Spannungen zu vermeiden.
Wie wirkt sich die Verlustleistung auf das thermische Design aus?
Die Nennleistung von 156 W führt den Kühlkörper und die Verteilung des Leiterplattenkupfers, um die Sperrschichttemperaturen innerhalb der Grenzen zu halten.
Welche Pin-Konfiguration wird bereitgestellt?
Die Komponente bietet eine dreipolige Anordnung, die mit Standard-Leistungs-MOSFET-Layouts kompatibel ist.