Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 13 A 156 W, 3-Pin TO-247

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 25 Stück)*

57,525 €

(ohne MwSt.)

68,45 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 225 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
25 - 252,301 €57,53 €
50 - 1002,163 €54,08 €
125 +1,956 €48,90 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
210-4983
Herst. Teile-Nr.:
SIHG15N80AE-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

E

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

304mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

35nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

156W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

4.6mm

Breite

15.5 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

28.6mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie hat ein TO-247AC-Gehäuse mit 13 A Ableitstrom.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Co(er))

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

Lawinenenergie (UIS)

Verwandte Links