Vishay E N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 13 A 156 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 210-4991
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP15N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (50 Stück, in einer Stange mit 50)*
76,20 €
(ohne MwSt.)
90,70 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Nur noch Restbestände
- Letzte 850 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,524 € | 76,20 € |
| 100 - 200 | 1,433 € | 71,65 € |
| 250 - 450 | 1,296 € | 64,80 € |
| 500 - 1200 | 1,219 € | 60,95 € |
| 1250 + | 1,143 € | 57,15 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 210-4991
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP15N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | E | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 304mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 53nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 156W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 9.96mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 4.24mm | |
| Länge | 27.69mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie E | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 304mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 53nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 156W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 9.96mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 4.24mm | ||
Länge 27.69mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 800 V Drain-Source-Spannung, 13 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHP15N80AE-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgerät, das für die Durchsteckmontage in Leistungsumwandlungs- und Steuerkreisen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für Anwendungen konzipiert, die eine hohe Spannungsfestigkeit, eine mäßige Dauerstrombelastbarkeit und eine gate-gesteuerte Enhancement-Mode-Umschaltung erfordern. Das Gerät wird in einem TO-220AB-Gehäuse mit drei Stiften für den herkömmlichen Board- oder Kühlkörper-Einbau geliefert.
Merkmale und Vorteile:
• 800 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 13 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt eine dauerhafte Lastübertragung
• 304 mΩ Rds(on) minimieren Leitungsverluste beim Schalten
• Die Verlustleistung von 156 W ermöglicht eine erhebliche thermische Handhabung
• 53 nC Gesamt-Gate-Ladung hält die Gate-Antriebsanforderungen vorhersehbar
• 30 V Gate-Source-Toleranz ermöglicht robuste Antriebsspannungsbereiche
• 13 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt eine dauerhafte Lastübertragung
• 304 mΩ Rds(on) minimieren Leitungsverluste beim Schalten
• Die Verlustleistung von 156 W ermöglicht eine erhebliche thermische Handhabung
• 53 nC Gesamt-Gate-Ladung hält die Gate-Antriebsanforderungen vorhersehbar
• 30 V Gate-Source-Toleranz ermöglicht robuste Antriebsspannungsbereiche
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler
• Wird für Snubber- und Klemmschaltungen in industriellen Wechselrichtern verwendet
• Ideal für Schaltmodus-Leistungsstufen in Beleuchtungssteuerungen
• Kann für Motorantriebsfrontenden mit Durchsteckmontage verwendet werden
• Einsatz mit Laborprüfgeräten, die eine hohe Spannungsbelastbarkeit erfordern
• Wird für Snubber- und Klemmschaltungen in industriellen Wechselrichtern verwendet
• Ideal für Schaltmodus-Leistungsstufen in Beleuchtungssteuerungen
• Kann für Motorantriebsfrontenden mit Durchsteckmontage verwendet werden
• Einsatz mit Laborprüfgeräten, die eine hohe Spannungsbelastbarkeit erfordern
Welchen Umgebungsbereich verträgt er in anspruchsvollen Installationen?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz sowohl in kalten als auch in Hochtemperaturumgebungen.
Wie ist die Komponente für eine effektive Wärmeableitung montiert?
Das TO-220AB-Gehäuse ist für die Durchsteckmontage konzipiert und kann zur Verbesserung der thermischen Leistung an einem Kühlkörper montiert werden.
Welche Art von Kanal und Leitungsmodus wird verwendet?
Das Gerät ist ein N-Kanal-Enhancement-MOSFET, der einen positiven Gate-Antrieb benötigt, um zu leiten.
Welche elektrischen Eigenschaften bestimmen den Schaltspannungsabfall?
Der Durchlassspannungsparameter von 1,2 V gibt das Leitungsverhalten des Geräts während des Durchlassstroms an.
Verwandte Links
- Vishay E N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay EF N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay D Series N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay EF N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay E N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay E N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay E N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay EF N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB