Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 13 A 136 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 210-4991
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP15N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,16 € | 58,00 € |
| 100 - 200 | 1,091 € | 54,55 € |
| 250 - 450 | 1,026 € | 51,30 € |
| 500 - 1200 | 1,00 € | 50,00 € |
| 1250 + | 0,975 € | 48,75 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 210-4991
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP15N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | E | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 304mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 56nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 136W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.24mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 9.96 mm | |
| Länge | 27.69mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie E | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 304mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 56nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 136W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.24mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 9.96 mm | ||
Länge 27.69mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie hat ein TO-220AB-Gehäuse mit 13 A Ableitstrom.
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
Lawinenenergie (UIS)