Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 15 A 179 W, 3-Pin SIHP17N80AE-GE3 TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

14,46 €

(ohne MwSt.)

17,205 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 655 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 452,892 €14,46 €
50 - 1202,458 €12,29 €
125 - 2452,316 €11,58 €
250 - 4952,17 €10,85 €
500 +2,026 €10,13 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
210-4994
Herst. Teile-Nr.:
SIHP17N80AE-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

15A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

E

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

250mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

41nC

Maximale Verlustleistung Pd

179W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

14.69mm

Breite

9.96 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.24mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie hat ein TO-220AB-Gehäuse mit 15 A Ableitstrom.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Co(er))

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

Lawinenenergie (UIS)

Verwandte Links