Vishay E SIHP17N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 15 A, 3-Pin TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 210-4993
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP17N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
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Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer Stange von 50)
2,249 €
(ohne MwSt.)
2,676 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
| 50 - 50 | 2,249 € | 112,45 € |
| 100 - 200 | 2,114 € | 105,70 € |
| 250 - 450 | 1,911 € | 95,55 € |
| 500 - 1200 | 1,799 € | 89,95 € |
| 1250 + | 1,687 € | 84,35 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 210-4993
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP17N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie hat ein TO-220AB-Gehäuse mit 15 A Ableitstrom.
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
Lawinenenergie (UIS)
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
Lawinenenergie (UIS)
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 15 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 800 V |
| Serie | E |
| Gehäusegröße | TO-220AB |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,25 Ω |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2 → 4V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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