Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 850 V / 165.3 A 179 W, 3-Pin SIHP21N80AEF-GE3 TO-220

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228-2879
Herst. Teile-Nr.:
SIHP21N80AEF-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

165.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

850V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

E

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

250mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

47nC

Maximale Verlustleistung Pd

179W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie reduziert Schalt- und Leitungsverluste.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Co(er))

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