Vishay SIHP22N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 19 A 179 W, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 188-4996
Herst. Teile-Nr.:: SIHP22N60EF-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SIHP22N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 19 A 179 W, 3-Pin TO-220AB

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Datasheet SIHP22N60EF-GE3

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Leistungs-MOSFET der Serie EF mit schneller Gehäusediode.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige Eingangskapazität (Ciss)
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
ANWENDUNGEN
Server- und Telekommunikations-Netzteile
Schaltnetzteile (SNT)
Netzteile für Leistungsfaktorkorrektur (PFC)

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	19 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	TO-220AB
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	182 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	179 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±30 V
Breite	4.65mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	48 nC @ 10 V
Länge	10.51mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Höhe	9.01mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

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Herst. Teile-Nr.:: SIHP22N60EF-GE3
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Vishay SIHP22N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 19 A 179 W, 3-Pin TO-220AB

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