Vishay N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 19 A 179 W, 3-Pin TO-247AC

RS Best.-Nr.:: 188-4992
Herst. Teile-Nr.:: SIHG22N60EF-GE3
Marke:: Vishay

Vishay N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 19 A 179 W, 3-Pin TO-247AC

Preis pro Stück (In einer VPE à 2)**

5,905 €

(ohne MwSt.)

7,027 €

(inkl. MwSt.)

Voraussichtlich ab 17.07.2025 verfügbar.*

* Die Liefertermine können sich je nach gewählter Menge und Lieferadresse ändern.

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Stück	Pro Stück	Pro Packung**
2 - 18	5,905 €	11,81 €
20 - 48	5,32 €	10,64 €
50 - 98	5,015 €	10,03 €
100 - 198	4,72 €	9,44 €
200 +	4,53 €	9,06 €

**Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 188-4992
Herst. Teile-Nr.:: SIHG22N60EF-GE3
Marke:: Vishay

Datasheet SIHG22N60EF-GE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	19 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	TO-247AC
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	182 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	179 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	48 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	15.87mm
Breite	5.31mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	20.82mm

Vishay N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 19 A 179 W, 3-Pin TO-247AC

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Verwandte Produkte