Vishay E N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 19 A 179 W, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 121-9656
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG20N50E-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Serie | E | |
| Gehäusegröße | TO-247AC | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 184mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 179W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 46nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 5.31mm | |
| Höhe | 20.82mm | |
| Länge | 15.87mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Serie E | ||
Gehäusegröße TO-247AC | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 184mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 179W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 46nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 5.31mm | ||
Höhe 20.82mm | ||
Länge 15.87mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 500 V Drain-Source-Spannung, 19 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHG20N50E-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Leistungsumwandlungs- und Schaltanwendungen entwickelt wurde. Er bietet robuste Schaltfunktionen, die für die Durchsteckmontage in herkömmlichen Baugruppen geeignet sind, und arbeitet in einem breiten Umgebungstemperaturbereich für anspruchsvolle elektronische Umgebungen.
Merkmale und Vorteile:
• Die Ablassleistung von 500 V unterstützt Hochspannungsstufen
• 19 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht eine erhebliche Lasthandhabung
• Die Verlustleistung von 179 W ermöglicht einen Betrieb mit hoher Leistung
• 184 mΩ maximaler RDS(on) minimiert Leitungsverluste
• Die typische Gate-Ladung von 46 nC reduziert die Schaltsteuerungsenergie
• Maximale Gate-Nennleistung von 30 V ermöglicht Standard-Gate-Antriebsspannungen
• 19 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht eine erhebliche Lasthandhabung
• Die Verlustleistung von 179 W ermöglicht einen Betrieb mit hoher Leistung
• 184 mΩ maximaler RDS(on) minimiert Leitungsverluste
• Die typische Gate-Ladung von 46 nC reduziert die Schaltsteuerungsenergie
• Maximale Gate-Nennleistung von 30 V ermöglicht Standard-Gate-Antriebsspannungen
Anwendungen
• Geeignet für Leistungselektronik-MOSFETs für die Schaltversorgung
• Ideal für TO-247-Leistungstransistorbaugruppen mit Durchgangsbohrung, 500 V
• Wird mit Hochspannungswechselrichtern und Motorantriebsstufen verwendet
• Kann für industrielle Stromversorgungen und Wandler verwendet werden
• Wird für ältere Durchsteckreparaturen und Prototypenplatinen verwendet
• Ideal für TO-247-Leistungstransistorbaugruppen mit Durchgangsbohrung, 500 V
• Wird mit Hochspannungswechselrichtern und Motorantriebsstufen verwendet
• Kann für industrielle Stromversorgungen und Wandler verwendet werden
• Wird für ältere Durchsteckreparaturen und Prototypenplatinen verwendet
Was sind die thermischen Grenzwerte für den Einsatz in heißen Umgebungen?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Betrieb in Systemen mit erhöhter Temperatur.
Welche Befestigungsmethode ist für eine zuverlässige Installation erforderlich?
Das Gerät verwendet eine Durchsteckmontage in einem TO-247AC-Gehäuse, kompatibel mit Standard-Wellen- oder manuellen Lötprozessen und Kühlkörperanordnungen.
Welche Gate-Drive-Bedenken sollte ich bei der Konstruktion zulassen?
Ausgelegt für eine maximale Gate-Source-Nennspannung von 30 V und berücksichtigt eine typische Gate-Ladung von 46 nC bei der Dimensionierung von Antriebsschaltkreisen.
Wie erfüllt das Teil die Materialbeschränkungen für die Herstellung?
Es ist RoHS-konform und erfüllt die Anforderungen an Materialbeschränkungen für Umweltvorschriften.